東芝エンハンスメントモードTPH2R70AR5NチャネルMOSFETは、SOP Advance(N)パッケージで提供されます。
特徴
- trr = 52ns(typ.)急速な逆回復
- Qrr = 55nC(typ.)逆回復充電の減少
- QSW = 17nC (typ.)低スイッチングゲート 充電・
- IDSS =10µA(最大)(VDS =100V)優れたリーク制御
- RDS(ON) = 2.3mΩ (typ.) (VGS =10V) 超低導通損失
- Vth = 2.9V~ 4.3V (VDS = 10V、ID = 1.0mA)のばらつきが非常に小さい閾値電圧
アプリケーション
- 高効率のDC-DC電力変換
- 電圧制御回路
- モータドライブシステム
- 産業
パッケージングと内部回路
公開: 2025-10-08
| 更新済み: 2026-01-12
