Vishay / Dale UGDT Microゲート・ドライブ・トランス

Vishay / Dale UGDT Microゲート・ドライブ・トランスは、MOSFET / IGBTゲート電力とタイミング信号を同時に供給します。トランスは、最高200Vまでのバスでの直接駆動・高圧側MOSFET / IGBTに対応します。このシリーズは、優れた立ち上がり時間、オーバーシュート、ピーク電流特性が特徴です。Vishay / Dale UGDT Microゲート・ドライブ・トランスには、125kHz~750kHzの周波数範囲があります。

特徴

  • MOSFET / IGBT駆動電力とタイミング信号を同時に供給
  • 最高200Vのバス上でハイサイドMOSFET/IGBTを直接駆動
  • 優れた立ち上がり時間、オーバーシュート、ピーク電流特性
  • 125kHz~750kHz周波数範囲
  • -55°C~+130°C動作温度範囲

仕様

  • Up to 1500VDC dielectric withstand voltage
  • 100mARMS winding current
  • 400mW total power dissipation
  • 125kHz to 750kHz frequency
  • 8.9mm length x 6.6mm width x 5.6mm height

寸法 In. (mm)

Vishay / Dale UGDT Microゲート・ドライブ・トランス
公開: 2020-11-16 | 更新済み: 2024-11-15