特徴
- MOSFET / IGBT駆動電力とタイミング信号を同時に供給
- 最高200Vのバス上でハイサイドMOSFET/IGBTを直接駆動
- 優れた立ち上がり時間、オーバーシュート、ピーク電流特性
- 125kHz~750kHz周波数範囲
- -55°C~+130°C動作温度範囲
仕様
- Up to 1500VDC dielectric withstand voltage
- 100mARMS winding current
- 400mW total power dissipation
- 125kHz to 750kHz frequency
- 8.9mm length x 6.6mm width x 5.6mm height
寸法 In. (mm)
公開: 2020-11-16
| 更新済み: 2024-11-15

