特徴
- TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
- 超低RDS - Qg性能指数(FOM)
- 最低レベルのRDS - Qoss FOM向けに調整済
- 熱転写のための場所の追加を実現する、上面の冷却機能
- 100 % RgおよびUIS試験を完了
アプリケーション
- 同期整流
- OR-ing
- 高電力密度DC/DC
- モーター駆動制御
- バッテリマネジメント
- 負荷スイッチ
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| SIR4606DP-T1-GE3 | ![]() |
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
| SIDR402EP-T1-RE3 | ![]() |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
| SIDR608EP-T1-RE3 | ![]() |
MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET |
公開: 2021-12-02
| 更新済み: 2022-03-11


