Vishay Semiconductors パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード

これらのデバイスは、+175°Cまでの高い動作ジャンクション温度に対応しており、産業、自動車、再生可能エネルギーシステムなど高温で厳しい環境下で安定的な動作を確保します。順電圧の正の温度係数によって並列接続が容易になり、大電流設計での拡張性の向上と熱バランスの最適化を実現できます。

耐久性を重視して設計されたVishay SiCショットキーダイオードは、低い漏れ電流、高いサージ電流耐性、極めて低いスイッチング損失と導通損失が特長です。これらの特性によって、AC/DC PFC段、高周波整流器、LLC共振コンバータ、DC/DCコンバータ、UPSシステム、通信インフラ、サーバー用電源、ソーラー用インバータプラットフォームの効率が最大化されます。

幅広い定格電流（4A～最大200A）および約650Vの逆電圧耐性を持つこれらダイオードは、多様な電力段で柔軟に設計できます。D²PAK 2L (TO-263AB 2L) パッケージを採用しており、小型フォームファクタ設計へのシームレスな組み込みや、高出力の産業用アセンブリに対応できます。

Vishayは、ファミリ全体を通じて長期的な信頼性を重視しており、AEC-Q101準拠バージョン、RoHS準拠の構造、ハロゲンフリーの材料、UL認証済みモジュールのオプションを提供しています。これらの特性によって、長寿命、熱安定性、極めて高い効率が求められるミッションクリティカルなアプリケーションに最適です。