Vishay Semiconductors VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
ビシェイ (Vishay)半導体VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュールは、コンパクトなトランスファーモールドFlatPAK HC0パッケージに、同クラス最高レベルのRDS（ON）を備えたハーフブリッジMOSFETを統合したデバイスです。このデバイスは、連続ドレイン電圧（VDSS）が 80V、連続ドレイン電流（ID）が+80°Cで195Aです。効率性を向上させるため、パワーモジュールのMOSFETは低オン抵抗を備えており、競合製品と比べて導通損失を32%低減します。このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。ビシェイ (Vishay) 半導体のVS-HOT200C080は、ハーフブリッジ構成の80V MOSFET、電流測定用シャント抵抗、スイッチング性能向上用バイパスコンデンサ、および温度検出用NTCを統合しています。
特徴
- 絶縁付き30mm × 22.8mmトランスファーモールドFlatPAK HC0パッケージ
- 80Vドレインソース間電圧
- 0.45mΩ（標準）オン抵抗、Q1（チップレベル）［RDS（ON）］
- +80°Cでの連続ドレイン電流：195A
- ハーフブリッジインバータ
- 電流および温度センシング
- 電気的に絶縁された露出DBC基板
- 低EMI用Cスナバ
- AQG324ガイドラインに準拠認定
- PPAPに対応
- UL 94V-0認定エポキシ樹脂コンパウンド
アプリケーション
- 自動車の電動化（ベルトスタートジェネレータ／MHEV向け回生システム）
- マイクロモビリティ（48Vトラクションインバータ）
仕様
- 1050Aパルスドレイン電流（IDM）（TC = +25°C、tp = 250μs、矩形波）
- 1530Aパルスソース電流（ボディダイオード）（ISM）（TC = +150°C、tp = 1ms、矩形波）
- 194W 損失（PD）（TC = +25°C）
- ±20Vゲート・ソース間電圧（VGS）
- 130nC（標準値）総ゲート電荷（Qg）、ID = 80A、VDS = 48V、VGS = 0V/10V時
- 39nC（標準値）ゲート・ソース電荷（Qgs）、ID = 80A、VDS = 48V、VGS = 0V/10V時
- 24nC（標準値）ゲート・ドレイン（“Miller”）電荷（Qgd）、ID = 80A、VDS = 48V、VGS = 0V/10V時
- ジャンクション温度範囲（TJ）：-55～+175°C
- 保存温度範囲（TStg）：-40～+150°C
- 動作温度範囲（Top）：-40～+150°C
回路構成
寸法
公開: 2026-03-31
| 更新済み: 2026-04-02