特徴
- TrenchFET Gen VパワーMOSFET
- 非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM)
- ソースフリップ技術によって熱性能を向上
- 100% Rg およびUIS試験済
- 単一構成
- PowerPAK® 1212-Fパッケージタイプ
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- DC/DCコンバータ
- 同期整流
- バッテリ管理
- Oリングおよび負荷スイッチ
仕様
- 30V最高ドレイン-ソース間電圧
- +16V/-12V最高ゲート-ソース間電圧
- 500A最大パルスドレイン電流
- 198A連続ドレイン電流
- 87μΩドレイン-ソース間オン抵抗
- 57W電力損失
- 2Vゲート-ソース間閾値電圧
- 27nCゲート充電
- 立ち上がり時間 90ns
- 下降時間:15ns
- 38A最大シングルパルスアバランシェ電流
- 72mJ最大シングルパルスアバランシェエネルギー
- 接合部動作温度範囲:-55°C~+150°C
公開: 2024-02-23
| 更新済み: 2024-03-07
