Vishay Semiconductors VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET

Vishay Semiconductor VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFETは、高性能なシリコンカーバイド (SiC) MOSFETです。高い阻止電圧(耐圧)、低いオン抵抗、高速スイッチング、低容量を特長とするこれらのVishay Semiconductor MOSFETは、ソーラーインバータやEV充電器などの高周波スイッチング用途に最適です。

特徴

  • 低オン抵抗の高ブロック電圧
  • 低容量による高速スイッチング
  • 低逆回復を備えたソフトボディダイオード
  • 最高+175°Cジャンクション温度
  • UL認証済み(ファイル番号E78996)

アプリケーション

  • EV充電器
  • サーバおよびテレコムのPSU
  • UPS
  • ソーラーインバータ
  • SMPS
  • DC/DCコンバータ

回路構成

機械図面 - Vishay Semiconductors VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
機械図面 - Vishay Semiconductors VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
機械図面 - Vishay Semiconductors VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
機械図面 - Vishay Semiconductors VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
機械図面 - Vishay Semiconductors VS-VF シングルスイッチ、シリコンカーバイド、パワーMOSFET
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部品番号 データシート Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Pd - 電力損失 Vgs - ゲート-ソース間電圧
VS-SF100SA120 VS-SF100SA120 データシート 98 A 32.6 mOhms 468 W - 8 V, 19 V
VS-SF150SA120 VS-SF150SA120 データシート 126 A 16.8 mOhms 535 W - 8 V, 19 V
VS-SF200SA120 VS-SF200SA120 データシート 127 A 12.1 mOhms 750 W - 8 V, 15 V
VS-SF50LA120 VS-SF50LA120 データシート 38 A 43 mOhms 136 W - 4 V, 15 V
VS-SF50SA120 VS-SF50SA120 データシート 49 A 47 mOhms 238 W - 4 V, 15 V
公開: 2026-02-18 | 更新済み: 2026-02-26