Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET

Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET は、トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33(SOT8002-3)表面実装デバイス(SMD)プラスチック・パッケージ封止の車載用40V、PチャネルFETです。このMOSFETはロジックレベル互換で、光学的はんだ検査用にサイドウェッタブル・フランクを採用しています。BUK6Q12-40PJ MOSFETは、通常はドレイン・ソース間電圧(VDS)が負値の場合に動作します。ソースに対してゲートに負の電圧(VGS)が印加されると電流が流れます。ドレイン端子とソース端子間に適用できる安全な最大電圧は40V(ソース電圧がドレイン電圧より最大40Vだけ高い)です。このMOSFETを封止したパッケージは、小型フォームファクタ(3.3mm x 3.3mmフットプリント)で最適な放熱特性を実現します。BUK6Q12-40PJ MOSFETは、AEC-Q101に準拠しています。このMOSFETは、逆極性保護、高速ライン・ドライバ、ハイサイド負荷スイッチ、リレー・ドライバに最適です。

特徴

  • ロジックレベル互換
  • トレンチMOSFET技術
  • 光学的はんだ検査用のサイドウェッタブル・フランク
  • ドレイン・ソース間電圧(VDS)25°C ≤ Tj ≤ 175°C:-40V
  • 動作時の接合部温度/ジャンクション温度:-55°C~175°C
  • 総電力損失Tmb=25°C:94W(標準値)
  • 小型フォームファクタ(3.3mm x 3.3mmのフットプリント)の熱効率の高いパッケージ
  • AEC-Q101認定

アプリケーション

  • 逆極性保護
  • 高速ラインドライバ
  • ハイサイド負荷スイッチ
  • リレー・ドライバ

寸法

機械図面 - Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
公開: 2025-07-24 | 更新済み: 2025-08-19