Nexperia DFN0606 Trench MOSFET
Nexperia DFN0606 Trench MOSFETは、Trench MOSFET技術を活用するように設計されており、低閾値電圧と超高速スイッチングを実現できます。これらのNexperia MOSFETは静電気放電（ESD）保護を特長とし、 リードレス超小型DFN0606-3（SOT8001）表面実装（SMD）プラスチックパッケージで提供されます。代表的なアプリケーションには、携帯電話、ウェアラブルおよびポータブルデバイス、携帯電話アクセサリ、ヘッドセット、イヤホン、補聴器があります。
特徴
- 低い閾値電圧
- 超高速スイッチング
- Trench MOSFET技術
- DFN0606パッケージに収められた2N7002の機能性
- DFN1006に比べて36%省スペース
- 最大2kV ESD保護
- 0.6mm x 0.6mmフットプリント、0.37mm高
仕様
- 最低170mΩまでの超低RDS (on)
- 低電圧駆動 (VGS (th)=標準0.7V)
- 電圧範囲 20V～60V
アプリケーション
- 携帯電話
- ウェアラブル機器および携帯機器
- 携帯電話アクセサリ
- ヘッドセット、イヤフォン、補聴器
ビデオ
アプリケーションノート
アプリケーション回路図
関連のあるMOSFET
Nexperia ポータブル用の小信号MOSFET（SSMOS）
モバイルおよびポータブル・アプリケーション用の小型WLCSPおよびリードレスDFNパッケージ。
View Results ( 11 ) Page
| 部品番号 | データシート | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | Qg - ゲート電荷 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NX5008NBKHH |  |
50 V | 350 mA | 2.8 Ohms | 900 mV | 470 pC |
| PMH1200UPEH | |
30 V | 520 mA | 1.6 Ohms | 950 mV | 400 pC |
| PMH850UPEH | |
30 V | 600 mA | 1 Ohms | 950 mV | 600 pC |
| NX138BKHH | |
60 V | 380 mA | 2.3 Ohms | 1.5 V | 500 pC |
| NX7002BKHH | |
60 V | 350 mA | 2.8 Ohms | 1.1 V | 1 nC |
| PMH260UNEH | |
20 V | 1.2 A | 310 mOhms | 950 mV | 630 pC |
| PMH550UNEH | |
30 V | 770 mA | 670 mOhms | 450 mV | 400 pC |
| PMH550UPEH | |
20 V | 800 mA | 640 mOhms | 950 mV | 600 pC |
| PMH600UNEH | |
20 V | 800 mA | 620 mOhms | 450 mV | 310 pC |
| PMH950UPEH | |
20 V | 530 mA | 1.4 Ohms | 950 mV | 290 pC |
公開: 2020-05-21
| 更新済み: 2024-05-03