Nexperia NHUMB1 PNP/PNPダブルトランジスタ
Nexperia NHUMB1 PNP/PNPダブル・トランジスタは、回路設計の簡素化に向けて設計されており、高破壊電圧、内蔵レジスタ、部品数の削減、ピックアンドプレース・コストの削減を特徴としています。これらのトランジスタは、80Vコレクタ-エミッタ電圧（VCEO）、100mA出力電流（IO）、 -55°C ～150°Cの周囲温度範囲（Tamb）で動作します。一般的なアプリケーションに は、デジタルアプリケーション、BC856シリーズの省コストの代替品、IC入力の制御、負荷の切り替えがあります。
特徴
- 高破壊電圧
- 内蔵レジスタ
- 回路設計を簡素化
- 部品数を削減
- ピック・アンド・プレースのコストを削減
- SOT363 SMDパッケージ
- AEC-Q101準拠
仕様
- -80Vコレクタ-エミッタ電圧（VCEO）
- -100mA出力電流 (IO)
- 1トランジスタあたり235mWの総電力損失（Ptot）
- 周辺温度範囲：-55°C～150°C (Tamb)
- 保存温度範囲：-65°C～150°C (Tstg)
アプリケーション
- デジタルアプリケーション
- デジタルアプリケーションでのBC856シリーズの省コスト代替品
- IC入力の制御
- 負荷切り替え
特性曲線
パッケージの外形
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公開: 2022-01-19
| 更新済み: 2022-03-11