Nexperia PSMN Nチャンネル30V MOSFET
Nexperia PSMN Nチャンネル30V MOSFETは、NextPowerS3テクノロジーが特徴で、低RDSonおよび低IDSS漏れを発揮し、LFPAKパッケージに収められています。LFPAKパッケージによって高い信頼性が実現しており、175°Cまでの認定を受けています。これらのMOSFETには、ベストインクラスの安全動作領域(SOA)が備わっています。PSMN MOSFETには、25°Cで1μA未満という低漏れになっており、4.5Vゲートドライブ用に最適化されています。これらのMOSFETは、-55°C~175°C接合部温度および保存温度の両方が特徴です。PSMN MOSFETは、AC-DCおよびDC-DCアプリケーションでのホットスワップ、パワーOR-ing、バッテリ保護、ブラシ付およびBLDCモータ制御、同期整流に最適です。特徴
- 低RDSonを目的に最適化済
- NextPowerS3テクノロジー
- ベストインクラスのSOA
- <25°Cで1µA未満の低漏れ
- 信頼性が高いLFPAKパッケージ(最高175°Cまでに認定済)
- 視覚的にはんだ検査を目的とした露出リード
- 低EMI設計向けの低スパイキングとリンギング
仕様
- 4.5Vゲートドライバ用に最適化
- ストレージ温度範囲: -55°C~+175°C
- 接合部温度範囲: -55°C~+175°C
- 25°C ≤ Tj ≤ 175°Cの場合:
- 30VDSドレイン-ソース電圧
- 30VDGRドレイン-ゲート電圧
アプリケーション
- ホットスワップ
- 電源OR-ing
- DCスイッチ/負荷スイッチ
- バッテリ保護
- ブラシ付およびブラシなしモータ制御
- AC-DCおよびDC-DCアプリケーションでの同期整流
パワーOR-ingのアプリケーション図
アプリケーションノート
ビデオ
公開: 2019-08-27
| 更新済み: 2023-05-02
