Nexperia PSMN Nチャンネル30V MOSFET

Nexperia PSMN Nチャンネル30V MOSFETは、NextPowerS3テクノロジーが特徴で、低RDSonおよび低IDSS漏れを発揮し、LFPAKパッケージに収められています。LFPAKパッケージによって高い信頼性が実現しており、175°Cまでの認定を受けています。これらのMOSFETには、ベストインクラスの安全動作領域(SOA)が備わっています。PSMN MOSFETには、25°Cで1μA未満という低漏れになっており、4.5Vゲートドライブ用に最適化されています。これらのMOSFETは、-55°C~175°C接合部温度および保存温度の両方が特徴です。PSMN MOSFETは、AC-DCおよびDC-DCアプリケーションでのホットスワップ、パワーOR-ing、バッテリ保護、ブラシ付およびBLDCモータ制御、同期整流に最適です。

特徴

  • 低RDSonを目的に最適化済
  • NextPowerS3テクノロジー
  • ベストインクラスのSOA
  • <25°Cで1µA未満の低漏れ
  • 信頼性が高いLFPAKパッケージ(最高175°Cまでに認定済)
  • 視覚的にはんだ検査を目的とした露出リード
  • 低EMI設計向けの低スパイキングとリンギング

仕様

  • 4.5Vゲートドライバ用に最適化
  • ストレージ温度範囲: -55°C~+175°C
  • 接合部温度範囲: -55°C~+175°C
  • 25°C ≤ Tj ≤ 175°Cの場合:
    • 30VDSドレイン-ソース電圧
    • 30VDGRドレイン-ゲート電圧

アプリケーション

  • ホットスワップ
  • 電源OR-ing
  • DCスイッチ/負荷スイッチ
  • バッテリ保護
  • ブラシ付およびブラシなしモータ制御
  • AC-DCおよびDC-DCアプリケーションでの同期整流

パワーOR-ingのアプリケーション図

アプリケーション回路図 - Nexperia PSMN Nチャンネル30V MOSFET

ビデオ

公開: 2019-08-27 | 更新済み: 2023-05-02