NXP Semiconductors GD3160高度ゲートドライバ
NXP Semiconductors GD3160高度ゲートドライバは、xEVトラクションインバータ、OBC、DC/DCコンバータを対象にSiCおよびIGBTモジュールを駆動するように設計されています。GD3160は、集積ガルバニック絶縁、SPIかを介してプログラムできるインターフェイス、温度過昇、不飽和、電流センス保護といった高レベルにプログラムできる保護オプションが特徴です。
NXP Semiconductors GD3160高度ゲートドライバは、高性能スイッチング、低動的オン状態抵抗、レール・ツー・レールのゲート電圧制御を活用してSiC MOSFETおよびIGBTゲートを直接駆動できます。
GD3160は、障害を自律的に管理し、INTAピンとINTBピンならびにSPIインターフェイスを介して電源デバイスとゲートドライバのステータスを報告します。GD3160は、信頼性の高いシステム（ASIL C/D）の設計を目的とした自己テスト、制御、保護機能を搭載しており、自動車アプリケーションの厳格な要件に適合するAEC-Q100 Grade 1の完全認定を取得済です。
特徴
- 統合型ガルバニック信号絶縁（8kVまで）
- 15Aソース/シンク対応の大ゲート電流集積
- 安全性の監視、設定、診断レポートを実現するSPIインターフェイス
- 最大100kHzまでに対応するPWMの高スイッチング周波数をサポート
- ユーザーが選択できる安全状態のためのLVおよびHVドメインからのフェイルセーフ状態管理
- 拡張範囲全域にわってプログラム可能なゲート電圧レギュレータ
- NTCおよびPTCサーミスタとの互換性がある温度センス
- SiCおよびIGBTの保護を目的に最適化されている不飽和および電流センスを設定可能
- 集積ソフトシャットダウン、2レベルのターンオフ、SiC独自のゲートドライブ要件に適合するよう最適化を実施済
- INTAピンを介したリアルタイムVCEおよびVGE監視
- HVドメインからのパラメータの監視を実現する集積ADC
- CMTI > 100V/ns
- 200V～1700V IGBT/SiCとの互換性あり、電力範囲 > 125kW
- 動作温度範囲：-40 °C～125 °C
- 7.8mm以下の外部沿面距離（CPG）
- 3.3Vまたは5.0V I/Oロジック・インターフェイスの型式でご利用可能
- 小型パッケージ・フットプリント（8mm x 13mm）32ピンSOIC
- 規制および安全性関連の要件の遵守
- 絶縁の強化（DIN V VDE V 0884-10に準拠）
- 5000 V rms（1分間）絶縁に対する耐性（UL 1577に準拠）
- CSA部品受け入れ通知書5A
- AEC-Q100 Grade 1車載認定済
関連キット
NXP Semiconductors GD3160ハーフブリッジ評価キット（Danfoss DCM™1000X用）
PCおよびGD3160ゲートドライバ2個とのインターフェイスを介した接続を実現するためにFreedom KL25Zマイクロコントローラハードウェアを搭載しています。
関連のあるソリューション
NXP Semiconductors 電気自動車（EV）トラクション・インバータ
トラクションモータを駆動するためにバッテリからAC電源にDC電力を変換する重要なEVデバイスです。
アプリケーション概略図
公開: 2022-06-01
| 更新済み: 2024-06-10