onsemi NXH100B120H3Q0デュアルブーストパワーモジュール
onsemi NXH100B120H3Q0デュアルブーストパワーモジュールは、高い効率性と優れた信頼性が特徴です。NXH100B120H3Q0統合型フィールドストップトレンチIGBTおよびSiCダイオードは、さらなる低導通損失とスイッチング損失を実現しています。NXH100B120H3Q0デュアルブーストパワーモジュールは、エネルギー貯蔵システム、ソーラーインバータ、無停電電源アプリケーションに最適です。
特徴
- 1200VウルトラフィールドストップIGBT
- 低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
- 1600Vバイパスと逆並列ダイオード
- 低誘導レイアウト
- はんだ付け可能なピンまたはPress-Fitピン
- サーミスタ
- 熱インターフェイス素材（TIM）が事前に適用されている場合とTIMが事前に適用されていない場合のオプション
アプリケーション
- ソーラーインバータ
- 無停電電源装置
- エネルギー貯蔵システム
回路図
注目製品
onsemi ワイドバンドギャップSiCデバイス
優れたスイッチング性能とさらなる高信頼性を実現している新しいテクノロジが搭載されています。
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公開: 2019-11-06
| 更新済み: 2024-06-24