onsemi シールドゲートPowerTrench® MOSFET
OnsemiシールドゲートPowerTrench® MOSFETはNチャンネルであり、最適化されたスイッチング性能を提供します。このMOSFETは、低い逆回復充電 (Qrr) とソフトボディダイオードが特徴で、優れた低ノイズスイッチングを目的としています。OnsemiシールドゲートPowerTrench MOSFETは、より低いスイッチングスパイクと電磁干渉 (EMI) により高効率を提供します。これにより、 スイッチング性能指数 (FOM) が向上します。代表的なアプリケーションには、ATX/サーバー/テレコム電源ユニット(PSU) 、モータドライブ、無停電電源装置(UPS) 、マイクロソーラーインバータなどの同期整流が含まれます。
特徴
- シールドゲートMOSFETテクノロジー
- 最適化されたスイッチング性能
- 5mΩ (最大) RDS (on) @ VGS = 10VおよびID = 97A
- 他のMOSFETより50%低いQrr
- さらなる低スイッチングノイズ/EMI
- 100%非クランプ誘導負荷（UIL）試験済
- ドレイン‐ソース間電圧 (VDSS) ：150V
- 最大ドレイン電流 (ID) ：139A
アプリケーション
- 同期整流
- 高度なテクノロジー拡張 (ATX)
- サーバー
- テレコムPSUテクノロジー
- モータドライブ
- UPS
- ミクロソーラーインバータ
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Fairchildは業界で最も幅広い PowerTrench® MOSFET 製品群を取り揃えています。
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| NTP011N15MC |  |
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A |
| NTP5D0N15MC | |
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A |
| NTP7D3N15MC | |
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A |
公開: 2020-09-16
| 更新済み: 2024-11-07