onsemi シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャンネルパワーMOSFETは、小型フットプリントでコンパクト設計のMOSFETで、低R_DS(on)と低容量が備わっています。低R_DS(on)値は、伝導損失を最小限に抑えることに貢献します。低静電容量は、ドライバ損失を最小化します。これらのシングルNチャンネルパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～175°Cの動作温度範囲が特徴です。

特徴

導通損失を最小限に抑えるための低R_DS(on)
ドライバの損失を最小限に抑える低容量
無鉛、RoHS準拠
コンパクト設計のための小型フットプリント
-55°C～175°C動作温度範囲

ウェッタブル・フランク製品
- NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C
AEC-Q101認定およびPPAP対応
- NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF.

仕様

30V to 650V drain-source breakdown voltage range
27A to 464A continuous drain current range
520µΩ to 950mΩ drain-source resistance range

1.2V to 4.5V gate-source threshold voltage range
6.3nC to 178nC gate charge range
3.2W to 340W power dissipation range

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部品番号	説明	パッケージ/ケース	Pd - 電力損失	Qg - ゲート電荷	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Id - 連続ドレイン電流	ターンオン時の標準遅延時間	標準電源切断遅延時間	上昇時間	下降時間
NTMFS006N12MCT1G	MOSFET PTNG 120V SG	SO-8FL-4	104 W	42 nC	4 V	6 mOhms	93 A
NVMTS4D3N15MC	MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE		292 W	79 nC	4.5 V	4.45 mOhms	165 A
NTMTS4D3N15MC	MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL	DFN-8	293 W	79 nC	4.5 V	4.45 mOhms	174 A	38 ns	48 ns	11 ns	8 ns
NVTFS003N04CTAG	MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V	WDFN-8	69 W	23 nC	2.5 V	3.5 mOhms	103 A	10 ns	19 ns	47 ns	3 ns
FDBL9401-F085T6	MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX	TO-LL8-8	180.7 W	148 nC	4 V	670 uOhms	240 A
FDBL9406-F085T6	MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX	TO-LL8-8	136.4 W	75 nC	3.5 V	1.21 mOhms	240 A
NTMFS0D6N03CT1G	MOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION	SO-8FL	200 W	65 nC	2.2 V	620 uOhms	433 A
NTBLS1D7N08H	MOSFET T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET	TO-LL8-8	167 W	121 nC	4 V	1.7 mOhms	203 A
NTMFS008N12MCT1G	MOSFET PTNG 120V SG	SO-8FL-4	102 W	33 nC	4 V	8 mOhms	79 A
NVTFS4C02NTAG	MOSFET T6 30V NCH U8FL	WDFN-8	3.2 W	20 nC	2.2 V	2.25 mOhms	162 A

公開: 2019-07-22 | 更新済み: 2025-07-16

onsemi シングルNチャンネルパワーMOSFET

特徴

仕様

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