onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET

onsemi NTBG023N065M3S 23m Ω EliteSiC MOSFETは、プレーナ（ストライプ）技術を用いたM3Sシリーズで、D2PAK-7Lパッケージで供給され、高速スイッチングアプリケーションに応用できます。このMOSFETは、650Vドレイン・ソース電圧、40A連続ドレイン電流、263W電力損失、216Aパルス・ドレイン電流が特長です。NTBG023N065M3S MOSFETは、超低ゲート電荷、高速スイッチング速度のMOSFETと低容量 (Coss = 153pF) を実現しています。このMOSFETは、-55°C～175°Cの温度範囲で動作し、アバランシェ試験を100%完了済みです。NTBG023N065M3S MOSFETは、ハロゲンフリー、およびRoHS準拠（適用除外7a）製品です。主なアプリケーションは、スイッチングモード電源 (SMPS)、ソーラーインバータ、UPS、エネルギー貯蔵、EV充電インフラなどです。