onsemi NTH4L014N120M3Pシリコンカーバイド(SiC)MOSFET

Onsemi NTH4L014N120M3Pシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーアプリケーション向けに最適化されています。onsemi MOSFETは、プレーナテクノロジーを採用しており、負のゲート電圧駆動で信頼性が高く、ゲート上のスパイクを抑制します。このファミリには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能がありますが、15Vゲートドライブとの併用にも優れています。  

特徴

  • 標準RDS(on) = 14mΩ@ VGS = 18V
  • 低スイッチング損失:標準EON 1,308 J(74A、800V時)
  • 100%アバランシェ試験済み
  • このデバイスは、RoHSに準拠しています。

アプリケーション

  • ソーラーインバータ
  • 電気自動車充電ステーション
  • UPS(無停電電源)
  • エネルギー貯蔵システム
  • SMPS(スイッチモード電源)
公開: 2022-11-10 | 更新済み: 2024-07-22