onsemi NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFET

OnsemiNTTFD4D0N04HLおよびNTTFD9D0N06HLNチャンネルMOSFETは、WQFN12パッケージのPOWERTRENCH®パワークリップ対称デュアルチャンネルMOSFETです。これらのデバイスには、2つの特殊なNチャンネルMOSFETがデュアルパッケージに搭載されています。スイッチノードは内部的に接続されており、同期降圧コンバータの簡単な配置とルーティングが可能です。制御MOSFET (Q2) および同期MOSFET (Q1) は、最適な電力効率を実現するように設計されています。Onsemi NTTFD4D0N04HLおよびNTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFETには、低R_{DS (on)} 、低Q_G と静電容量、低伝導/ドライバ損失が備わっています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータ、汎用ポイントオブロード、単相モータドライブ、コンピューティング、通信があります。

特徴

3mm x 3mm WQFN12パッケージ
パッケージの寄生を削減するハーフブリッジとして構成
低R_{DS (on)}

導通損失を最小化
低Qgと静電容量
ドライバ損失の最小化

アプリケーション

コンピューティング
通信
汎用POL

DC/DCコンバータ
単相モータドライバ
DC/DCモジュール

仕様

NTTFD4D0N04HL
- Q1 Nチャンネル:
  - 10V V_GS 、10A I_D で最大4.5mΩ R_{DS (on)}
  - 4.5V V_GS 、8A I_D で最大7mΩ R_{DS (on)}
- Q2: Nチャンネル
  - 10V V_GS 、10A I_D で最大4.5mΩ R_{DS (on)}
  - 4.5V V_GS 、8A I_D で最大7mΩ R_{DS (on)}

NTTFD9D0N06HL
- Q1 Nチャンネル:
  - 10V V_GS 、10A I_D で最大9mΩ R_{DS (on)}
  - 4.5V V_GS 、8A I_D で最大13mΩ R_{DS (on)}
- Q2: Nチャンネル
  - 10V V_GS 、10A I_D で最大9mΩR_{DS (on)}
  - 4.5V V_GS 、8A I_D で最大13mΩ R_{DS (on)}