onsemi NTTFS012N10MD NチャンネルMOSFET

Onsemi NTTFS012N10MD NチャンネルMOSFETは、シールドゲートテクノロジーが組み込まれている高度PowerTrench® プロセスを使用して設計されています。このプロセスは、オン状態抵抗RDS (on) を最小限に抑えるように最適化されており、導通損失を最小限に抑えながらも優れたスイッチング性能を維持できます。NTTFS012N10MD MOSFETは、ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量、低QRR 、ソフトリカバリボディダイオード、軽負荷効率を向上させる低QOSS が特徴です。代表的なアプリケーションには、絶縁DC/DCコンバータでの一次スイッチ、AC/DCアダプタ、DC/DCおよびAC/DCでの同期整流、BLDCモータ、負荷スイッチ、ソーラーインバータがあります。

特徴

  • シールドゲートMOSFET技術
  • RDS(on)= =14.4mΩ最大、Vgs= =10V、Id= =15A
  • RDS(on)= =2,1mΩ最大、Vgs= =6V、Id= =7.5A
  • 100Vドレイン-ソース電圧(VDSS)
  • 45A連続ドレイン電流( ID 最大)
  • 高効率でスイッチングノイズ/EMIを低減
  • 導通損失を最小限に抑える低 RDS (on)
  • ドライバの損失を最小限に抑える低QG と静電容量
  • 低QRR とソフトリカバリボディダイオード
  • 軽負荷効率を向上させる低QOSS
  • MSL1の堅牢なパッケージ設計
  • 100% UIL試験済
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 絶縁DC/-DCコンバータの一次スイッチ
  • DC-DCおよびAC/DCの同期整流(SR)
  • AC-DCアダプタ(USB PD)SR
  • 電源
  • 負荷スイッチ
  • モータ駆動
  • ホットスワップおよびOリングスイッチ
  • BLDCモータ
  • ソーラーインバータ
公開: 2022-02-23 | 更新済み: 2024-06-14