onsemi NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) モジュール
onsemi NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) モジュールは、1200V、80m Ω 、31A、フルブリッジ・パワーモジュールです。DIP（デュアルインラインパッケージ）に格納されています。このSiCモジュールは、モジュール全体の抵抗を低減するコンパクトな設計を採用しています。NVXK2PR80WXT2パワーモジュールは、AEC-Q101およびAQG324などの 車載規格に適合しています。このパワーモジュールは、無鉛、RoHS、UL94V-0に準拠しています。NVXK2PR80WXT2 SiCモジュールの温度センシングと最低の熱抵抗によって、xEVアプリケーションでのDC/DCおよびオンボード充電器に最適です。
特徴
- DIP Silicon Carbide (SiC) フルブリッジ・パワーモジュール
- ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：1200V
- 連続ドレイン電流 (ID) ：31A
- ドレイン・ソースon抵抗(RDS (ON)) ： 80mΩ（標準）
- 動作接合部温度 (TJ)範囲：-55°C～175°C
- IEC60664-1およびIEC 60950-1に準じた沿面距離とクリアランス
- モジュール全体の抵抗を低く抑えるコンパクト設計
- 完全トレーサビリティのためのモジュール・シリアライゼーション
- 無鉛
- RoHS およびUL94V-0準拠
- AEC-Q101およびAQG324などの車載認定
アプリケーション
- xEVアプリケーションのDC/DCおよびオンボードチャージャ
- EV-PHEV向け11kW～22kWオンボードチャージャ
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公開: 2024-08-02
| 更新済み: 2024-08-28