Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
Renesas Electronics 650V TP65H030G4Px 30mΩ窒化ガリウム（GaN）FETは、TOLT、TO247、TOLLパッケージでご用意があります。最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせ、優れた性能、スタンダードドライブ、容易な採用と高い信頼を可能にしているGen IV Plus SuperGaN® プラットフォームを使用しています。
ルネサス エレクトロニクス (Renesas Electronics) GaNパワー半導体は、25W ～ 10kWの広範なアプリケーション全体での高性能かつ信頼性の高いソリューションです。Renesas GaNパワー半導体の独自のアーキテクチャには、GaNの固有の性能が活用されており、コンパクトなPQFN、リードに対する堅牢性、下面と上面の両方の冷却が備わったさまざまな表面実装パッケージなどの各種パッケージオプションがあります。ノーマリーオフのアーキテクチャ、豊富なパッケージバリエーション、一体型低電圧シリコンMOSFETフロントエンドにより、スタンダードシリコンドライバとの互換性が容易になっており、システム開発者にとってよりわかりやすく、コスト効率の高い GaNの採用が可能になります。
特徴
- 30mΩ 標準オン状態抵抗（RDSON）
- 127nC出力電荷（Qoss）
- 22nCのゲート電荷（Qg）
- Cossの出力キャパシタンス=127pF、Co(er) =183pF、Co(tr) = 339pF
- 業界標準TOLL、トルト（上面冷却）、TO-247パッケージでご用意あり
- 既存のGen IVパーツに比べて14%より低い、優れたダイナミックオン抵抗が備わっている標準的オン状態抵抗（RDSON）
- 前世代と比較してFOM（RDSON * Qoss）が27%改善し、全体的な効率も向上
- 低いゲートドライブ電力需要と標準ゲートドライバとの互換性
- 優れたトランスコンダクタンスと低容量により、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングアプリケーションでの性能が向上
- さまざまなアプリケーションへのシームレスな統合を促進する広範なパッケージ製品
アプリケーション
- インフラ（データセンター/サーバ）、電源、UPS、BESS、E-モビリティ充電インフラ、ソーラーインバータ
- 単方向および双方向DC/DCコンバータ
- ハードスイッチングとソフトスイッチング設計のテレコムおよびサーバアプリケーション向け電源
- 産業アプリケーションのPFCおよびインバータ段
アプリケーション図
開発ツール
Renesas Electronics RTDTTP4200W066A GaN評価ボード
効率の高い単相AC/DC変換を可能にするトーテムポールPFC評価ボードです。
公開: 2025-06-25
| 更新済み: 2025-10-02