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特徴
- 低コレクタ・エミッタ飽和電圧
- 高い自己クランプ伝導スイッチングエネルギー
- 内蔵ゲート・エミッタ保護ダイオード
- 内蔵ゲート・エミッタ抵抗
- 動作接合部温度: -40ºC~175ºC
- 保管温度: -55ºC~175ºC
- AEC-Q101に認定
- 無鉛リードめっき
- RoHS準拠
アプリケーション
- 着火コイルドライバ回路
- ソレノイドドライバ回路
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| 部品番号 | データシート | 説明 | 取り付け様式 | 最低動作温度 | 最高動作温度 | ゲート - エミッタ リーク電流 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RGPR30BM40HRTL | ![]() |
IGBT 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | 1.2 mA |
| RGPZ10BM40FHTL | ![]() |
IGBT 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | 15 uA |
| RGPR20NL43HRTL | ![]() |
IGBT Transistor, IGBT, 430V +/- 30V, 20A | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | 1.2 mA |
| RGPR10BM40FHTL | ![]() |
IGBT 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | 1.2 mA |
| RGPR20NS43HRTL | ![]() |
IGBT 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | SMD/SMT | - 40 C | + 175 C | 1.2 mA |
| RGPR30NS40HRTL | ![]() |
IGBT 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT | Through Hole | - 40 C | + 175 C | 1.2 mA |
公開: 2018-01-03
| 更新済み: 2023-09-07

