ROHM Semiconductor RSDT27NS過渡電圧サプレッサ

ROHM Semiconductor RSDT27NS トランジェントボルテージサプレッサは、3600W(tp=10/1000us)未満のサージから精密電子機器を保護する単方向のボルテージサプレッサです。このボルテージサプレッサは、高信頼度と高過電流耐量が特長です。RSDT27NSは、3つの端子が搭載されたパワーモールドタイプの電圧サプレッサです。このボルテージサプレッサは、電力損失 (PD) 5Wおよび最大逆スタンドオフ電圧 (VRWM) を備えています。ROHM Semiconductor RSDT27NSボルテージサプレッサは、サージ保護に適しています。

特徴

  • 単方向電圧サプレッサ
  • パワーモールドタイプ
  • 高い信頼性
  • 3つの端子を装備
  • シリコン・エピタキシャルプレーナ型構造

仕様

  • 3600W(tp=10/1000us)未満のサージから保護
  • 電力損失 (PD) 5W
  • TO-263S (D2PAK) パッケージ
  • 逆スタンドオフ電圧 VRWM (最大) 22V
  • 逆方向電流 (IR) 10µA @VR=22V
  • 動作温度範囲:-55°C~+150°C

内部回路図

ROHM Semiconductor RSDT27NS過渡電圧サプレッサ

性能グラフ

パフォーマンスグラフ - ROHM Semiconductor RSDT27NS過渡電圧サプレッサ
公開: 2020-11-18 | 更新済み: 2024-10-29