ROHM Semiconductor RSDT27NS過渡電圧サプレッサ
ROHM Semiconductor RSDT27NS トランジェントボルテージサプレッサは、3600W(tp=10/1000us)未満のサージから精密電子機器を保護する単方向のボルテージサプレッサです。このボルテージサプレッサは、高信頼度と高過電流耐量が特長です。RSDT27NSは、3つの端子が搭載されたパワーモールドタイプの電圧サプレッサです。このボルテージサプレッサは、電力損失 (PD) 5Wおよび最大逆スタンドオフ電圧 (VRWM) を備えています。ROHM Semiconductor RSDT27NSボルテージサプレッサは、サージ保護に適しています。特徴
- 単方向電圧サプレッサ
- パワーモールドタイプ
- 高い信頼性
- 3つの端子を装備
- シリコン・エピタキシャルプレーナ型構造
仕様
- 3600W(tp=10/1000us)未満のサージから保護
- 電力損失 (PD) 5W
- TO-263S (D2PAK) パッケージ
- 逆スタンドオフ電圧 VRWM (最大) 22V
- 逆方向電流 (IR) 10µA @VR=22V
- 動作温度範囲:-55°C~+150°C
内部回路図
性能グラフ
公開: 2020-11-18
| 更新済み: 2024-10-29
