ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 NチャンネルSiCパワーMOSFET
ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 Nチャンネル炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFETは、要求の厳しい車載環境で使用される高性能な車載グレードのデバイスです。ROHM SCT4062KWAHRは、高ドレイン-ソース間電圧定格1,200V、および連続ドレイン電流24A(@ +25°°C)が特徴で、MOSFETは、高電圧・高効率電力変換システムに最適です。標準オン抵抗62mΩ を備えたSCT4062KWAHRは、導通損失を最小限に抑え、高速スイッチングをサポートしており、電力損失の低減と熱性能の向上に貢献します。TO-263-7LA 形式に格納され、優れた熱放散を備えたコンパクトなパワーモジュールへの統合が簡単です。SCT4062KWAHRは、信頼性、効率性、熱安定性が重要になるトラクションインバータ、オンボード充電器、DC-DCコンバータといった電気自動車(EV)アプリケーションに最適です。特徴
- AEC-Q101適合
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング速度
- 高速リバースリカバリ
- 並列が容易
- シンプルな駆動
- TO-263-7LAパッケージ
- 4.7mm(最小)の広い沿面距離
- 鉛フリーリードメッキ
- RoH準拠
アプリケーション
- 自動車
- スイッチモード電源
仕様
- 最高ドレイン-ソース間電圧:1,200V
- 最大連続ドレイン/ ソース電流
- 24A(+25°C時)
- 17A(+100°C時)
- 80μA最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
- 最大パルスドレイン電流:52A
- ボディダイオード
- 最大順電流
- パルス:24A
- サージ:52A
- 3.3Vの標準順電圧
- 標準的な逆回復時間 8.1ns
- 逆回復充電:105nC
- 標準ピーク逆回復電流:26A
- 最大順電流
- 最高DCゲート-ソース間電圧範囲:-4V~21V
- 最高ゲート-ソース・サージ電圧範囲:-4V ~ 23V
- 最大推奨ゲート-ソース駆動電圧
- 最大ターンオン範囲:15V ~ 18V
- ターンオフ 0V
- ゲート-ソース間リーク電流:±100nA
- ゲート閾値電圧範囲:2.8V ~ 4.8V
- 静的ドレイン-ソース間オン状態抵抗
- 最大81mΩ(+25°Cの場合)
- 標準62mΩ
- 標準ゲート入力抵抗:4Ω
- 接合部対ケース熱抵抗:1.6K/W
- 標準トランスコンダクタンス:6.5S
- 標準静電容量
- 1,498pF入力
- 45pF 出力
- 3pF逆方向転送
- 有効出力:54pF、エネルギー関連
- 標準ゲート
- 合計:64nC
- ソース充電:14nC
- ドレイン充電:17nC
- 標準時間
- 4.4nsターンオン遅延
- 立ち上がり11ns
- 22nsターンオフ遅延
- 10ns立ち下がり
- 標準スイッチング損失
- ターンオン:17nC
- ターンオフ:6μJ
- 最大仮想接合部温度:+175°C
内部回路
公開: 2025-06-13
| 更新済み: 2025-06-19
