ROHM Semiconductor スタンダード・ツェナーダイオード

ROHM Semiconductorスタンダード・ツェナーダイオードは、2ピン・モールド表面実装タイプやコンプレックス・タイプなど、さまざまなラインナップでご用意があります。これらのツェナーダイオードは信頼性が高く、車載および工業規格に対応するための優れたサージ抵抗が備わっています。スタンダード・ツェナーダイオードは、エピタキシャルプレーナ型構造が特徴で、小型パワーモールドパッケージに収められています。これらのツェナーダイオードは、電圧安定化アプリケーションに最適です。

RASMID™ツェナーダイオードは、世界最小クラスの過渡電圧トランジスタで、さまざまな回路で保護要素として使用されています。これらのダイオードには、優れた寸法精度が備わっており、高性能、高密度、モバイル、ウェアラブル製品に最適です。RASMIDツェナーダイオードは、高い信頼性、±8kVの高保護レベル、±10µmの寸法許容差が特徴です。

TFZVツェナーダイオードには高い信頼性があり、小型パワーモールドSOD-323HE-2パッケージで販売されています。これらのダイオードは、チップマウンタによる自動取付が可能で、2V~37.19Vのツェナー電圧範囲を実現しています。TFZVツェナーダイオードは、電圧安定化アプリケーションに最適です。TDZVツェナーダイオードは、5.1V~18Vツェナー電圧範囲で動作し、小型モールドSOD-323HEパッケージで販売されています。これらのTDZVツェナーダイオードは、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造と500mW電力損失が特徴です。

PDZVツェナーダイオードは、2.3V~43Vツェナー電圧範囲で動作し、小型パワーモールドSOD-128HEパッケージで販売されています。これらのツェナーダイオードは、1000mW電力損失とシリコンエピタキシャルプレーナ型構造が特徴です。

特徴

  • 小型モールドタイプ
  • 高信頼性
  • シリコン・エピタキシャルプレーナ型構造
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部品番号 説明 データシート Pd - 電力損失 Zz - ツェナーインピーダンス(Zener Impedance) Ir - 逆電流(Reverse Current) パッケージ/ケース
CDZVT2R4.7B ツェナーダイオード Zener Diode CDZVT2R4.7B データシート 100 mW 100 Ohms 2 uA SOD-923-2
RSA6.1J4T2R ESD保護ダイオード/TVSダイオード TVS ARRAY4 ELMNTS RSA6.1J4T2R データシート SOT-553-5
PDZVTR8.2B ツェナーダイオード 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 8.2Vz(V) Min PDZVTR8.2B データシート 1 W 4 Ohms 20 uA SOD-128-2
UMZ18NT106 ツェナーダイオード DIODE DUAL CMMN ANOD 17.955V 200MA UMZ18NT106 データシート 200 mW 100 nA SOT-323-3
TDZVTR22 ツェナーダイオード 500mW 19.8-24.2V SOD-323HE TDZVTR22 データシート 500 mW SOD-323HE-2
UMZ8.2TT106 ツェナーダイオード 8.2V 200MW UMZ8.2TT106 データシート 200 mW 30 Ohms 500 nA SOT-323-3
TDZVTR10 ツェナーダイオード 500mW 9-11V SOD-323HE TDZVTR10 データシート 500 mW SOD-323HE-2
TDZVTR6.8 ツェナーダイオード 500mW SOD-323HE TUMD2M TDZVTR6.8 データシート 500 mW 10 uA SOD-323HE-2
EMZT6.8ET2R ツェナーダイオード LO CAPACITANCE ZENER EMZT6.8ET2R データシート 150 mW 40 Ohms 500 nA SOT-553-5
PDZVTR4.7B ツェナーダイオード 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 4.7Vz(V) Min PDZVTR4.7B データシート 1 W 10 Ohms 20 uA SOD-128-2
公開: 2019-06-03 | 更新済み: 2024-01-24