Texas Instruments LMG342xR030 GaN電界効果トランジスタ（FET）

Texas Instruments LMG342xR030は、最大150 V/nsのスイッチング速度を可能にするシリコンドライバを内蔵しています。TIの統合型高精度ゲートバイアス電圧は、ディスクリートシリコンゲートドライバと比較してより広いスイッチングSOAをもたらします。この統合とTIの低インダクタンスパッケージの組み合わせにより、ハードスイッチング電源トポロジにおいて、クリーンなスイッチングとリンギングの最小化を実現しています。調整可能なゲートドライブ強度により、スルーレートを20 V/ns〜150 V/nsまで制御でき、EMIを積極的に制御してスイッチング性能を最適化します。LMG3425R030は理想ダイオードモードを搭載しており、アダプティブデッドタイム制御を実装することで、第三象限損失を低減します。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FETの温度は、可変デューティサイクルPWM出力を介して通知されるため、デバイスの負荷管理が簡素化されます。通知される障害には、過熱、過電流、UVLO監視などがあります。