TI OPA3S2859は、3つの内部スイッチド・フィードバック・パスと、最大4つの選択可能なゲイン構成を可能にするオプションのパラレル非スイッチド・フィードバック・パスを提供します。内部スイッチは、ディスクリート外部スイッチを使用するシステムと比較して、寄生による影響を最小化し、性能を向上させます。各スイッチは<1kΩ to >、広いダイナミックレンジアプリケーション向けに、100kΩからのフィードバック抵抗値に最適化されています。指定されたスイッチ・パスは、2線式並列インターフェイスを使用して両方のチャネルで制御されます。各チャンネルセットでは、ラッチピンを作動させることでゲインパスを一定に保つこともでき、選択されたチャンネルのスイッチ制御をオフにし、チャンネルがゲインが変化することが防止されます。OPA3S2859-EPデバイスには、金ボンドワイヤ、 -55~+105°Cの温度範囲、SnPb リード仕上げが備わっています。
特徴
- 900MHzの利得帯域幅積
- プログラム可能なゲイン用の内部スイッチ
- 高インピーダンスFET入力
- 入力電圧ノイズ:2.2nV/√Hz
- スルーレート:350V/μs
- 電源電圧範囲:3.3V~5.25V
- 自己消費電流:22mA/チャネル
- 75μAのパワーダウン・モード IQ
- 温度範囲-55°C~125°C
- 防衛、航空宇宙、医療アプリケーションをサポートしています。
- 制御されたベースライン
- 1つの組み立てとテストサイト
- 1つの製造サイト
- 拡張製品のライフサイクル
- 拡張製品変更通知
- 製品のトレーサビリティ
アプリケーション
- 切り替え可能なトランスインピーダンス・アンプ
- スマート兵器
- レーザー距離測定
- 光時間領域反射測定法 (OTDR)
- シリコン光電子増倍管 (SiPM) バッファ
- 電子チューブ・ポストアンプ
- 高速のプログラム可能なゲインアンプ
ブロック図
トランスインピーダンス帯域幅対周波数
公開: 2024-01-29
| 更新済み: 2024-06-27

