Toshiba DF2BxM4ASL ESD保護ダイオード

Toshiba DF2BxM4ASL ESD保護ダイオードは、静電気やノイズからモバイル端末インターフェイスのような半導体デバイスや他のアプリケーションを保護します。これらのESD保護ダイオードには 、snapback特性が活用されており、低動的抵抗と優れた保護性能を実現しています。DF2BxM4ASLダイオードは、低静電容量性能を目的にハイスピード信号アプリケーションを最適化します。これらのESD保護ダイオードは、-55°C~150°Cの温度範囲で格納されています。DF2BxM4ASLダイオードは、150°C接合部温度、30Wピークパルス電力、2Aピークパルス電流で機能します。代表的なアプリケーションには、スマートフォン、タブレット、ノートPC、デスクトップPCがあります。

特徴

  • モバイル端末などにのける高密度ボードレイアウトでの使用に適したコンパクトなパッケージ
  • 静電気やノイズから半導体デバイスを保護する低動的抵抗
  • 半導体デバイスを保護する低クランピング電圧を実現しているSnapback特性
  • 高ESD性能でデバイスを保護

仕様

  • DF2B5M4ASL:
    • 3.6V作動ピーク逆方向電圧
    • 4V~6V保持電圧範囲
  • DF2B6M4ASL:
    • 5.5V作動ピーク逆方向電圧
    • 5/6V~8V保持電圧範囲
  • ストレージ温度範囲: -55°C~150°C
  • 接合部温度: 150°C
  • 30Wピークパルス電力
  • 2Aピークパルス電流

アプリケーション

  • モバイル端末:
    • スマートフォン
    • タブレット
    • ノート型PC
  • デスクトップパソコン

回路図

ロケーション回路 - Toshiba DF2BxM4ASL ESD保護ダイオード
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部品番号 データシート 説明 動作電圧 破壊電圧 Vesd - 電圧ESDコンタクト Vesd - 電圧ESDエアギャップ
DF2B5M4ASL,L3F DF2B5M4ASL,L3F データシート ESD保護ダイオード/TVSダイオード Bi-Dir ESD 2A; 3.6V SOD-962 (SL2) 3.6 V 5 V 16 kV 16 kV
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F データシート ESD保護ダイオード/TVSダイオード Bi-Dir ESD 2A; 5.5V SOD-962 (SL2) 5.5 V 6.2 V 15 kV 15 kV
公開: 2020-04-14 | 更新済み: 2024-11-11