Toshiba SSMxシリコンMOSFET
Toshiba SSMxシリコンMOSFETは、高度テクノロジーを活用して設計されており、低RON特性を達成しています。SSMxは、非常にコンパクトで2 x 2mmおよびと2.9 x 2.8mmという薄さになっており、スマートフォンやウェアラブルデバイスといったバッテリ駆動デバイスに必須の損失が低く抑えられているコンパクトなサイズのMOSFETです。
SSM6K低RON特性によって、放熱設計の負担軽減を実現しています。高度トレンチプロセスが採用されており、低RONをもたらすセル構造が最小限に抑えられます。トレンチはPch7とNch9を加工し、単位面積あたりのオン抵抗を最大70％低減および伝導損失を低減しています。
このデバイスは、パワーマネジメントや高速スイッチングといった低損失スイッチングアプリケーションでの省エネに貢献します。SSM6KシリコンNチャンネル小信号MOSFETは、IoTデバイスとモバイル機器に最適です。
特徴
- VDSS : 12V～60V
- チャンネル温度: 150°C
- ドレイン電力損失: 500mW～1W
アプリケーション
- 電源管理スイッチ
- 高速スイッチング
ロングラフ
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| 部品番号 | データシート | トランジスタ極性 | パッケージ/ケース | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース |
|---|---|---|---|---|---|
| SSM6K341NU,LF |  |
N-Channel | UDFN-6 | 60 V | 28 mOhms |
| SSM3K333R,LF | |
N-Channel | |||
| SSM3K345R,LF | |
N-Channel | SOT-23F-3 | 20 V | 25 mOhms |
| SSM6J507NU,LF | |
P-Channel | UDFN-6 | 30 V | 20 mOhms |
| SSM6K513NU,LF | |
N-Channel | UDFN-6 | 30 V | 6.5 mOhms |
| SSM6N67NU,LF | |
N-Channel | UDFN-6 | 30 V | 39.1 mOhms |
| SSM3J378R,LF | |
P-Channel | SOT-23F-3 | 20 V | 29.8 mOhms |
| SSM6K361NU,LF | |
N-Channel | UDFN-6 | 100 V | 51 mOhms |
| SSM6J511NU,LF | |
P-Channel | UDFN-6 | 12 V | 6.5 mOhms |
| SSM6K514NU,LF | |
N-Channel | UDFN-6 | 40 V | 8.9 mOhms |
公開: 2017-02-17
| 更新済み: 2022-06-22