Toshiba SSM3高電流MOSFET
Toshiba SSM3大電流MOSFETは、大電流定格、低容量、低オン抵抗、高速切替があります。アプリケーションには、モバイルデバイス（ウェアラブルデバイス、スマートフォン、タブレットPCなど）、負荷スイッチ、DC-DCコンバータ、汎用スイッチがあります。Toshiba SSM3 MOSFETは現在、CST3Cパッケージでご用意があります。
サイズわずか0.8×0.6mmのCST3Cは、業界標準SOT-723パッケージの1/3の大きさです。CST3Cパッケージは、SOT-723に比べて低いオン抵抗を達成しながら、高密度実装に最適です。CST3Cパッケージは、1.2Vのゲート電圧で制御可能です。
特徴
- 動作温度範囲: -55°C～150°C
- ドレインソース抵抗（RDS(ON)）: 390mΩ～4.7Ω
- ドレインソース間破壊電圧（Vds）: -20V～60V
- 消費電力（Pd）: 150mW～2W
- SMD/SMT
アプリケーション
- モバイルデバイス（ウェアラブルデバイス、スマートフォン、タブレットPCなど）
- 負荷スイッチ
- DC/DCコンバータ
- 汎用スイッチ
N-channel MOSFETs
公開: 2016-04-07
| 更新済み: 2022-03-11