Toshiba TBC8x7バイポーラ接合トランジスタ
Toshiba TBC8x7バイポーラ接合トランジスタ（BJT）は、NPNおよびPNP極性の両方でご用意があります。 これらのトランジスタは、コンパクトな表面実装SOT23-3パッケージでご用意があります。 TBC8x7 BJTは、-55ºC～150ºCの広い保存温度（Tstg）範囲、および150ºCの接合部温度（TJ）が特徴です。 これらのトランジスタは、低周波数アンプおよび通信デバイスでの使用に理想的です。
特徴
- TBC847
- Silicon NPN epitaxial
- 60V collector-base voltage (VCBO)
- 50V collector- emitter voltage (VCEO)
- 6V emitter-base voltage (VEBO)
- 150mA DC collector current (IC)
- 200mA pulsed collector current (ICP)
- 30mA base current (IB)
- 320mW collector power dissipation (PC)
- TBC857
- Silicon PNP epitaxial
- -50V collector-base voltage (VCBO)
- -50V collector-emitter voltage (VCEO)
- -5V emitter-base voltage (VEBO)
- -150mA DC collector current (IC)
- -200mA pulsed collector current (ICP)
- -30mA base current (IB)
- 320mW collector power dissipation (PC)
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低ノイズ・低飽和電圧アプリケーション向けに設計されているプリバイアスが施されたトランジスタです。
公開: 2016-10-12
| 更新済み: 2022-03-11