Toshiba U-MOSVII-H MOSFET
Toshiba U-MOSVII-H MOSFETは、ロジックレベルのゲート駆動および低電圧ゲート駆動デバイスで、シングルNチャンネルおよびデュアルNチャンネルの両方のバージョンで販売されています。これらのデバイスには、12V～60Vのドレイン-ソース電圧範囲および0.15m～9.0Aの連続ドレイン電流範囲があります。U-MOSVII-H MOSFETは、幅広いコンパクト表面実装パッケージタイプで販売されており、高密度アプリケーションに最適です。
特徴
- 駆動電圧の種類: ロジックレベルゲート駆動、低電圧ゲート駆動
- 極性: Nチャンネル
- 最高ドレイン-ソースON抵抗 (RDS(ON)): 0.018Ω～4.7Ω (@VGS = 4.5V)
- ドレイン-ソース電圧 (VDSS): 12V～60V
- ゲート-ソース電圧 (VGSS): ±12V～±20V
- ドレイン電流 (ID): 0.15m～9.0A
- 電力散逸 (PD): 0.15W～1.6W
- 入力静電容量 (CISS): 11pF～620pf
- 動作温度範囲: -55°C～+150°C
- SMD/SMT
アプリケーション
- モバイルデバイス
- 負荷スイッチ
- IoTデバイス
- 高速スイッチング
アプリケーションノート
- バイポーラトランジスタ: 電気特性
- バイポーラトランジスタ: 最大定格
- バイポーラトランジスタ: 用語
- バイポーラトランジスタ: 熱安定性と設計
- ディスクリート半導体デバイスの温度計算
- MOSFET安全動作領域のディレーティング
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート1
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート2
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート3
- IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
- MOSFETへのDv/dtレートの影響
- MOSFETアバランシェの堅牢性
- MOSFETゲートドライブ回路
- MOSFETの並列化（並列パワーMOSFETの間での寄生発振）
- MOSFETの自己ターンオン現象
- 寄生発振とパワーMOSFETのリンギング
- パワーMOSFET: 最大定格
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