Vishay / Siliconix TrenchFET Gen VパワーMOSFET (VDS搭載)
Vishay/Siliconix TrenchFET
® Gen VパワーMOSFETは、非常に低いR
DS x Q
g 性能指数(FOM) で電力変換効率を向上させます。Gen VパワーMOSFETには、80V、100V、150Vドレイン・ソース破壊電圧オプションがあります。Gen VパワーMOSFETは、PowerPAK
® 1212-8SHまたはPowerPAK SO-8シングルパッケージでご用意があります。
特徴
- TrenchFET Gen VパワーMOSFET
- 電力変換トポロジとスイッチング回路の効率性を向上させることでエネルギーを節約
- 複数のトポロジでの使用を目的に最適化済
- 非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM)
- 100% Rg およびUIS試験済
アプリケーション
- 同期整流
- 一次側スイッチ
- DC/DCコンバータ
- ORリングとホットスワップスイッチ
その他のVishay MOSFET
スイッチングアプリケーションに最適で、約1mΩ のダイオン抵抗が特徴です。
Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
30V VDS 、超低RDS x Qg メリット指数(FOM)に対応し、より高い電力密度を実現できます。
AEC-Q101認定NチャンネルTrenchFET® パワーMOSFETで、PowerPAK® 8x8Lシングル/デュアルパッケージに収められています。
公開: 2021-03-10
| 更新済み: 2025-05-09