Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V NチャンネルMOSFET

Vishay / Siliconix  SiSD5300DN 30V NチャンネルMOSFETは、熱性能を向上させるソースフリップテクノロジーが活用されているTrenchFET® Gen VパワーMOSFETです。-55°C~+150°Cのジャンクション温度範囲内で動作するSiSD5300DNは、非常に低いドレイン-ソース間抵抗およびゲート充電性能指数(FOM)が特徴です。アプリケーションには、DC/DCコンバータ、同期整流、バッテリ管理、  Oリング、負荷スイッチがあります。

特徴

  • TrenchFET Gen VパワーMOSFET
  • 非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM)
  • ソースフリップ技術によって熱性能を向上
  • 100% Rg およびUIS試験済
  • 単一構成
  • PowerPAK® 1212-Fパッケージタイプ
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ
  • 同期整流
  • バッテリ管理
  • Oリングおよび負荷スイッチ

仕様

  • 30V最高ドレイン-ソース間電圧
  • +16V/-12V最高ゲート-ソース間電圧
  • 500A最大パルスドレイン電流
  • 198A連続ドレイン電流
  • 87μΩドレイン-ソース間オン抵抗
  • 57W電力損失
  • 2Vゲート-ソース間閾値電圧
  • 27nCゲート充電
  • 立ち上がり時間 90ns
  • 下降時間:15ns
  • 38A最大シングルパルスアバランシェ電流
  • 72mJ最大シングルパルスアバランシェエネルギー
  • 接合部動作温度範囲:-55°C~+150°C
公開: 2024-02-23 | 更新済み: 2024-03-07