AS4C128M8D3LB-12BCN

Alliance Memory
913-A4C1288D3LB12BCN
AS4C128M8D3LB-12BCN

メーカ：

詳細：
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (B die), Commercial Temp - Tray

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,301.6 ¥2,302
¥2,133.7 ¥21,337
¥2,066.8 ¥51,670
¥1,969 ¥98,450
¥1,920.1 ¥192,010
¥1,890.8 ¥457,574
¥1,843.5 ¥892,254

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
AS4C128M8D3LB
Tray
ブランド: Alliance Memory
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 242
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 72 mA
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
台湾
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.

DDR3L SDRAM

Alliance Memory DDR3L SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface that transfers two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins. Alliance Memory DDR3L SDRAM is available in various package sizes.

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