AS4C64M16D3B-12BIN

Alliance Memory
913-4C64M16D3B12BIN
AS4C64M16D3B-12BIN

メーカ：

詳細：
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Industrial Temp - Tray

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,684.8 ¥1,685
¥1,564.8 ¥15,648
¥1,518.4 ¥37,960
¥1,481.6 ¥74,080
¥1,412.8 ¥141,280
¥1,376 ¥261,440
¥1,353.6 ¥771,552
¥1,321.6 ¥1,506,624
2,660 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 95 C
AS4C64M16D3B
Tray
ブランド: Alliance Memory
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 190
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 72 mA
単位重量: 1.625 g
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選択した属性: 0

データシート

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.

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