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CSD22205L

Name: Texas Instruments CSD22205L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22205L
Price: 145 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD22205L

メーカ番号：

CSD22205L

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

データシート:

CSD22205L データシート

ECADモデル:

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在庫: 3,468

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥145.1	¥145
	¥90.6	¥906
	¥58.7	¥5,870
	¥45	¥22,500
	¥40.6	¥40,600
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥34.7	¥104,100
	¥31.9	¥191,400
	¥29.2	¥262,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD22205LT

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥310

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD22205LT

詳細：

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

現在のパーツと比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PICOSTAR-4
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	8 V
Id - 連続ドレイン電流:	7.4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	40 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 6 V, 6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.05 V
Qg - ゲート電荷:	8.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	800 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	32 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	10.4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	CSD22205L
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	70 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	30 ns
単位重量:	1 mg

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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 中国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Pチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET PチャンネルパワーMOSFETは、超薄型で優れた熱特性が可能な最小の輪郭で、最低のオン抵抗とゲート充電を提供するように設計されています。これらのNexFET MOSFETは、超低オン抵抗と超低QgとQgd、および1.0mm x 1.5mmの小型フットプリントが特徴です。