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CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 124 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD25304W1015

メーカ番号：

CSD25304W1015

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

データシート:

CSD25304W1015 データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,655

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥124.8	¥125
	¥77.1	¥771
	¥50.6	¥5,060
	¥38.6	¥19,300
	¥34.4	¥34,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥29	¥87,000
	¥25.8	¥154,800
	¥21.9	¥197,100
	¥21.1	¥506,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CSD25304W1015T

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥270

最低:

類似製品

メーカ：

Texas Instruments

メーカ番号：

CSD25304W1015T

詳細：

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DSBGA-6
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	92 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, 8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.15 V
Qg - ゲート電荷:	4.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	750 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Single
下降時間:	10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	12 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4 ns
シリーズ:	CSD25304W1015
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	24 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns
単位重量:	1.400 mg

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選択した属性: 0

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TARIC:: 8541290000
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NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。