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CSD88584Q5DC

Name: Texas Instruments CSD88584Q5DC
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88584Q5DC
Price: 755 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

595-CSD88584Q5DC

メーカ番号：

CSD88584Q5DC

メーカ：

Texas Instruments

詳細：

MOSFET 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DCT

データシート:

CSD88584Q5DC データシート

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥755.2	¥755
	¥500.8	¥5,008
	¥355.2	¥35,520
	¥332.8	¥166,400
	¥308.8	¥308,800
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥270.4	¥676,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Texas Instruments
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	VSON-CLIP-22
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	50 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	680 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.2 V
Qg - ゲート電荷:	137 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	12 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	NexFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Texas Instruments
構成:	Dual
下降時間:	17 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	149 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	24 ns
シリーズ:	CSD88584Q5DC
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	53 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns
単位重量:	100.600 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CSD88584Q5DC データシート

SPICE Models

CSD88584Q5DC PSpice Model (Rev. A)

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88584Q5DC 40VハーフブリッジNexFETパワーブロック

Texas Instruments CSD88584Q5DC 40VハーフブリッジNexFETパワーブロックは、大電流のモータ制御アプリケーションに最適化された設計です。これらのアプリケーションには、手持ち式工具、コードレスガーデンツール、電動工具などがあります。TIの積層ダイテクノロジを活用し、寄生インダクタンスを最小化するとともに、完全なハーフブリッジを構成しています。このデバイスは、省スペースで放熱特性の優れたDualCool™ 5mm×6mmパッケージに収められています。このパワーブロックデバイスは金属の上面が露出しており、パッケージの上面から熱を引き出し、PCBから逃がすための簡単なヒートシンクアプリケーションが実現します。この設計により、多くのモータ制御用途で要求される大電流において優れた放熱性能を発揮します。
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