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IAUCN08S7L024ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L024ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L024ATM
Price: 526 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-IAUCN08S7L024ATM

メーカ番号：

IAUCN08S7L024ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

IAUCN08S7L024ATMA1 データシート (PDF)

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	¥340.7	¥3,407
	¥241.2	¥24,120
	¥195.6	¥97,800
	¥189.1	¥189,100
	¥176	¥440,000
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥176	¥880,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-TDSON-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	177 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	16 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	65.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	148 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	MY
拡散国:	AT
原産国:	AT
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	46.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7.7 ns
別の部品番号:	IAUCN08S7L024 SP006059899

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ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 80V車載用パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V車載用パワーMOSFETは、Infineonの最先端のパワー半導体技術を用いて製造されています。これらのMOSFETは、要求の厳しい車載アプリケーションに必要とされる高いパフォーマンス、品質、および堅牢性を実現するために特別に設計されています。OptiMOS™ 7 80V MOSFETは、±20V_GSのゲート・ソース間電圧と、-55°C〜175°Cの温度範囲で動作します。これらのMOSFETは、上面冷却方式を採用した5x7mm²のSSO10T SMDパッケージで提供されます。SSO10Tパッケージは、冷却と電力密度の向上を達成する上で役立ちます。80VパワーMOSFETは、MSL-1等級、RoHS準拠で、100%アバランシェ試験済です。これらのパワーMOSFETは、一般的な車載アプリケーションに最適です。

OptiMOS™ 7 車載用パワーMOSFET

Infineon Technologiesは、業界最小クラスのオン抵抗、スイッチング損失の低減、堅牢性の向上を提供する最新の車載用パワーMOSFET技術「OptiMOS™ 7」を発表しました。OptiMOS 7は、車載用パワーMOSFETの基準を再び打ち立てています。InfineonのOptiMOS 7 MOSFETテクノロジーは、自動車アプリケーションを対象とした新しい基準を確立しており、将来の車載システムの課題に対処しながら性能と効率性を実現できます。