IRF540ZPBF

Infineon Technologies
942-IRF540ZPBF
IRF540ZPBF

メーカ：

詳細：
MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

データシート:
ECADモデル:
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予想2026/04/02
工場リードタイム：
17
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥110.4 ¥110
¥94.2 ¥942
¥87.8 ¥8,780
¥79.5 ¥39,750
¥72 ¥72,000
¥69.3 ¥346,500
¥67.8 ¥1,695,000

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
36 A
26.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
92 W
Enhancement
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

Models

Product Catalogs

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z 高度な HEXFET® パワー MOSFET

インターナショナル・レクティファイアーのIRF540N/Z Advanced HEXFET®パワーMOSFETは、シリコン部分の超低オン抵抗を実現する高度な処理技術を活用しています。このメリットが高速スイッチング、耐久性を高めたデバイス設計、175°Cの接合部動作温度（HEXFETパワーMOSFETではこの特性が有名です）と結びつくことで、設計者にとっては極めて効率的で信頼性の高いデバイスとなり、幅広い用途への応用が可能になります。
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