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ISC019N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N08NM7ATMA
Price: 632 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-ISC019N08NM7ATMA

メーカ番号：

ISC019N08NM7ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

ISC019N08NM7ATMA1 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥632.4	¥632
	¥414	¥4,140
	¥290.1	¥29,010
	¥247.8	¥123,900
	¥228.2	¥228,200
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥228.2	¥1,141,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-TDSON-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	209 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.2 V
Qg - ゲート電荷:	60 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	188 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	MY
原産国:	AT
下降時間:	7.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	70 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.3 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns
別の部品番号:	ISC019N08NM7 SP006166279

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データシート

ISC019N08NM7ATMA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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