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ISC024N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC024N08NM7ATMA
Price: 550 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-ISC024N08NM7ATMA

メーカ番号：

ISC024N08NM7ATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ライフサイクル:

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データシート:

ISC024N08NM7ATMA1 データシート (PDF)

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在庫: 2,011

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	¥357	¥3,570
	¥262.4	¥26,240
	¥220.1	¥110,050
	¥203.8	¥203,800
	¥190.7	¥476,750
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥190.7	¥953,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-TDSON-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	167 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.2 V
Qg - ゲート電荷:	49 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	CN
拡散国:	AT
原産国:	AT
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	130 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	3.8 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10.3 ns
別の部品番号:	ISC024N08NM7 SP006183896

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データシート

ISC024N08NM7ATMA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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