GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

メーカ：

詳細：
GaN FET SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,836.8 ¥1,837
¥1,443.2 ¥14,432
¥1,353.6 ¥67,680
¥1,331.2 ¥133,120
¥1,131.2 ¥226,240
完全リール（30の倍数で注文）
¥1,443.2 ¥43,296

製品属性 属性値 属性の選択
Nexperia
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
ブランド: Nexperia
構成: Single
下降時間: 10 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 10 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
別の部品番号: 934661752127
単位重量: 123 mg
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選択した属性: 0

データシート

Application Notes

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

産業アプリケーション用GaN FETs

Nexperia 産業アプリケーション用GaN FETは、電力の効率的な使用および電力変換と制御における効率性を向上します。一部のアプリケーションにとって、電力変換効率性と電力密度は市場での採用に重要となります。主要な例には、高電圧通信業界と産業インフラ業界があります。GaN FETを使用すると、全体的なシステムコストを下げるとともにさらに小型で高速、温度が上昇せず、軽量なシステムを実現できます。

GAN041-650WSB窒化ガリウム（GaN）FET

Nexperia GAN041-650WSB窒化ガリウム (GaN)FET は、650Vのドレインソース電圧、47.2Aのドレイン電流定格、および41mΩ最大抵抗が備わっています。GAN041はTO-247パッケージで提供され、高電圧 GaNHEMT H2テクノロジーと低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせた通常オフのデバイスです。これらの技術の組み合わせによって、優れた信頼性と性能を実現しています。Nexperia GAN041-650WSBGaNFETは、ブリッジレス トーテムポールPFC、サーボモータドライブ、および産業用およびデータ通信電力用のハードおよびソフト スイッチングコンバータに最適です。

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