650V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT

STMicroelectronics 60V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発しています。650V Mシリーズは最大100kHzの動作周波数を備えたアプリケーション用に、3A~150Aの最大コレクター電流を供給します。設計が最適化されており、カスタマイズされた内蔵の抗並列ダイオードでご利用いただけます。
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結果: 17
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss 3,710在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 380在庫
最低: 1
複数: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss 980在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGP30M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss 2,128在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGD4M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package 1,457在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 136 W - 55 C + 175 C STGB15M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT 54在庫
最低: 1
複数: 1

- 20 V, 20 V HB2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss 1,470在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss 679在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 468 W - 55 C + 175 C STGW75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads 692在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss 140在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss 1,131在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss 447在庫
2,000予想2026/11/09
最低: 1
複数: 1

Si STGP10M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss 344在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
396予想2026/03/26
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 2,000
複数: 1,000
リール: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube