SiC MOSFET – Mouser 日本

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CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFETは、パワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの高性能ソリューションを提供します。これらのMOSFETは優れた電気特性を持ち、スイッチング損失が非常に低いため、効率的な動作が可能です。1200V G2 MOSFETは、過負荷状態に対応するよう設計されており、200°Cまでの動作をサポートし、最大2µsの短回路に耐えることができます。これらのデバイスは、4.2Vの基準ゲート閾値電圧 V_GS(th) を特徴としており、正確な制御を保証します。CoolSiC MOSFET 1200V G2は、第1世代の技術が持つ強みを活かした3種類のパッケージから入手可能で、よりコスト最適化、効率化、小型化された、設計が容易で信頼性の高いシステムのための先進的なソリューションを提供します。第2世代は、ハード / ソフトスイッチングトポロジーの主要な性能指標を大幅に向上させ、DC-DC、AC-DC、DC-ACステージの一般的な組み合わせに適しています。

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結果: 42

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

トランジスタ極性

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

トレードネーム

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在庫

通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

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部品番号

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥1,776
959在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R034M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

959在庫

¥1,776

¥1,388.8

¥1,156.8

¥1,032

¥875.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥1,660.8
967在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R040M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R040M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

967在庫

¥1,660.8

¥1,299.2

¥1,083.2

¥964.8

¥859.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥1,470.4
858在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R053M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

858在庫

¥1,470.4

¥1,094.4

¥912

¥812.8

¥723.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥1,276.8
556在庫
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R078M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R078M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

556在庫

¥1,276.8

¥900.8

¥750.4

¥668.8

¥595.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥5,134.4
1,054在庫

メーカ部品番号
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

1,054在庫

カットテープ

¥5,134.4

¥4,379.2

¥3,830.4

リール

¥3,830.4

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥3,568
1,189在庫

メーカ部品番号
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

1,189在庫

カットテープ

¥3,568

¥2,920

¥2,579.2

リール

¥2,579.2

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥2,728
3,648在庫

メーカ部品番号
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

3,648在庫

カットテープ

¥2,728

¥2,184

¥1,888

リール

¥1,888

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥2,379.2
433在庫

メーカ部品番号
IMBG120R022M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

433在庫

カットテープ

¥2,379.2

¥1,777.6

¥1,536

¥1,454.4

リール

¥1,235.2

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥1,966.4
1,900在庫

メーカ部品番号
IMBG120R026M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

1,900在庫

カットテープ

¥1,966.4

¥1,600

¥1,332.8

¥1,188.8

リール

¥1,008

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥1,524.8
475在庫

メーカ部品番号
IMBG120R040M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

475在庫

カットテープ

¥1,524.8

¥1,155.2

¥963.2

¥857.6

リール

¥764.8

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥1,129.6
1,651在庫

メーカ部品番号
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

1,651在庫

カットテープ

¥1,129.6

¥825.6

¥668.8

¥593.6

リール

¥508.8

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥971.2
752在庫

メーカ部品番号
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

752在庫

カットテープ

¥971.2

¥678.4

¥548.8

¥486.4

リール

¥417.6

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥820.8
256在庫
1,000予想2026/03/05

メーカ部品番号
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

256在庫

1,000予想2026/03/05

カットテープ

¥820.8

¥545.6

¥414.4

¥379.2

リール

¥318.4

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥750.4
259在庫
5,000取寄中

メーカ部品番号
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

259在庫

5,000取寄中

カットテープ

¥750.4

¥496

¥372.8

¥337.6

リール

¥286.4

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ¥1,331.2
9在庫
2,000予想2026/06/11

メーカ部品番号
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 部品番号
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets について

データシート

9在庫

2,000予想2026/06/11

カットテープ

¥1,331.2

¥932.8

¥755.2

¥707.2

リール

¥614.4

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

リール: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ¥2,465.6
13在庫
1,680取寄中
新製品

メーカ部品番号
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 部品番号
726-IMZC120R022M2HXK

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

13在庫

1,680取寄中

¥2,465.6

¥1,908.8

¥1,649.6

¥1,648

最低： 1
複数： 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: ¥7,636.8
750予想2026/03/05
新製品

メーカ部品番号
IMCQ120R005M2HXUMA1

Mouser 部品番号
726-IMCQ120R005M2HXU

新製品

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets について

データシート

750予想2026/03/05

カットテープ

¥7,636.8

¥6,380.8

¥6,198.4

¥5,452.8

リール

¥5,452.8

最低： 1
複数： 1

リール: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W