SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EFシリーズパワーMOSFET

Vishay SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EFシリーズパワーMOSFETは、位相シフトブリッジやLLCコンバータハーフブリッジなどZVS/ソフト切り替えPWMトポロジー用に開発されたファーストボディダイオード付き600V NチャネルパワーMOSFETです。SiHx28N60EF /SiHx33N60EF EFシリーズのパワーMOSFETは、 Qrrを標準型MOSFETの10分の1に下げることにより、これらのアプリケーションでの信頼性を向上させています。これにより、デバイスが完全破壊電圧をブロックする能力を素早く回復するため、シュートスルーや熱的過ストレスによる故障を防ぐのに役立ちます。その上、Qrrを低減したことにより、従来型MOSFETと比べて逆回復電荷損失率が低くなっています。デバイスの超低オン抵抗およびゲート電荷により、伝導損や切り替え損失が極めて低く、ハイパワー、ハイパフォーマンスの切り替えモードアプリケーションでエネルギーを節約します。Eシリーズ スーパージャンクション技術を搭載した本シリーズはアバランシェエネルギー定格(UIS)で、TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247ACパッケージからお選びいただけます。
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結果: 31
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 8,004在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET 832在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 2,606在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode 1,735在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET 1,520在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode 1,048在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 339在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 3,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V 7,616在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) 835在庫
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode 1,715在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2,927在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2,920在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 117 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2,920在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD 434在庫
最低: 1
複数: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 2,996在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 440在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET 946在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 1,067在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 461在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 20A N-CH MOSFET 1,540在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC 98在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 20A N-CH MOSFET 1,397在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
475予想2026/08/03
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode 500在庫あり
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube