SCT3x第3世代SiC Trench MOSFET

ROHM SCT3x第3世代SiC Trench MOSFETには、プラナータイプのSiC MOSFETに比べてオン抵抗を50%および入力容量を30%低減している、独自のトレンチゲート構造が活用されています。これによって、スイッチング損失を大幅に低減し、スイッチング速度を高速化させることで、さまざまな装置の電力損失を低減しつつ効率運転を向上させています。これらのデバイスは、650Vおよび1200Vバージョンでご用意があります。