NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。 さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。  

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ROHM Semiconductor MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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ROHM Semiconductor MOSFET Discrete Semiconductors, MOSFET, Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor MOSFET Discrete Semiconductors, MOSFET, Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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ROHM Semiconductor MOSFET Discrete Semiconductors, MOSFET, Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 40V 80A
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ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
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