MSCSM120x MOSFETパワーモジュール

Microchip Technology  MSCSM120x MOSFETパワーモジュールは、Si3N4基板が特徴の効率性の高いコンバータで、熱性能の向上を目的とした厚い銅が備わっています。これらのモジュールは薄型で、ヒートシンクへの直接取付(絶縁パッケージ)、温度監視用の内部サーミスタ、拡張温度範囲に対応します。MSCSM120xモジュールは、1.2kV逆方向電圧(VR)、-10V~25Vゲート-ソース間電圧範囲(VGS)、310W/560W電力散逸(PD)、79A/150A連続ドレイン電流(ID)で動作します。これらのモジュールは、信頼性の高い電力システム、高効率AC/DCおよびDC/ACコンバータ、モーター制御、ACスイッチといったアプリケーションに使用します。

結果: 9
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 タイプ 技術 Vf - 順電圧(Forward Voltage) Vr - 逆電圧(Reverse Voltage) Vgs - ゲート-ソース間電圧 取り付け様式 最低動作温度 最高動作温度
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3 3在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 11在庫
最低: 1
複数: 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 6在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3 7在庫
最低: 1
複数: 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2 3在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2 4在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 4在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
24予想2026/02/24
最低: 1
複数: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 3
複数: 3

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C